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Disco Duro SSD Samsung 9100 PRO 4 TB Samsung V NAND TLC NAND (V8) PCIe Gen 5 x4 NVMe M.2 Internal SSD with Heatsink

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Disco Duro SSD Samsung 9100 PRO 4 TB Samsung V NAND TLC NAND (V8) PCIe Gen 5 x4 NVMe M.2 Internal SSD with Heatsink

Sobre este Producto:

⚡ Rendimiento ultra rápido: Con velocidades de lectura de hasta 14,800MBps y escritura de hasta 13,400MBps, este SSD ofrece una experiencia de almacenamiento extremadamente rápida para las tareas más exigentes.
🔥 Tecnología avanzada: Equipado con Samsung V NAND TLC NAND (V8) para una eficiencia y durabilidad superior en todas tus aplicaciones.
💪 Ideal para tareas de alto rendimiento: Con 2,600,000 IOPS en escritura aleatoria y 2,200,000 IOPS en lectura aleatoria, este SSD es perfecto para juegos intensivos y creación de contenido de alto nivel.
🛠️ Enfriamiento eficiente: El heatsink incluido asegura un rendimiento estable y una temperatura óptima incluso bajo carga.
🔒 Resistencia excepcional: Con 2,400 TBW, es capaz de soportar grandes volúmenes de lectura y escritura de manera confiable y duradera.
🖤 Diseño elegante y robusto: El Samsung 9100 PRO tiene un diseño elegante en negro que combina perfectamente con sistemas de alto rendimiento y estaciones de trabajo profesionales.

 

Característica Descripción
Marca Samsung
Modelo 9100 PRO 4TB SSD
Capacidad 4TB
Interfaz PCIe Gen 5 x 4
Velocidad de Lectura Hasta 14,800MBps
Velocidad de Escritura Hasta 13,400MBps
Tipo de Memoria TLC NAND (V8)
Endurance 2,400 TBW

Sobre este Producto:

⚡ Rendimiento ultra rápido: Con velocidades de lectura de hasta 14,800MBps y escritura de hasta 13,400MBps, este SSD ofrece una experiencia de almacenamiento extremadamente rápida para las tareas más exigentes.
🔥 Tecnología avanzada: Equipado con Samsung V NAND TLC NAND (V8) para una eficiencia y durabilidad superior en todas tus aplicaciones.
💪 Ideal para tareas de alto rendimiento: Con 2,600,000 IOPS en escritura aleatoria y 2,200,000 IOPS en lectura aleatoria, este SSD es perfecto para juegos intensivos y creación de contenido de alto nivel.
🛠️ Enfriamiento eficiente: El heatsink incluido asegura un rendimiento estable y una temperatura óptima incluso bajo carga.
🔒 Resistencia excepcional: Con 2,400 TBW, es capaz de soportar grandes volúmenes de lectura y escritura de manera confiable y duradera.
🖤 Diseño elegante y robusto: El Samsung 9100 PRO tiene un diseño elegante en negro que combina perfectamente con sistemas de alto rendimiento y estaciones de trabajo profesionales.

 

Característica Descripción
Marca Samsung
Modelo 9100 PRO 4TB SSD
Capacidad 4TB
Interfaz PCIe Gen 5 x 4
Velocidad de Lectura Hasta 14,800MBps
Velocidad de Escritura Hasta 13,400MBps
Tipo de Memoria TLC NAND (V8)
Endurance 2,400 TBW
$1,140.99
Disco Duro SSD Samsung 9100 PRO 4 TB Samsung V NAND TLC NAND (V8) PCIe Gen 5 x4 NVMe M.2 Internal SSD with Heatsink
$1,140.99

Description

Sobre este Producto:

⚡ Rendimiento ultra rápido: Con velocidades de lectura de hasta 14,800MBps y escritura de hasta 13,400MBps, este SSD ofrece una experiencia de almacenamiento extremadamente rápida para las tareas más exigentes.
🔥 Tecnología avanzada: Equipado con Samsung V NAND TLC NAND (V8) para una eficiencia y durabilidad superior en todas tus aplicaciones.
💪 Ideal para tareas de alto rendimiento: Con 2,600,000 IOPS en escritura aleatoria y 2,200,000 IOPS en lectura aleatoria, este SSD es perfecto para juegos intensivos y creación de contenido de alto nivel.
🛠️ Enfriamiento eficiente: El heatsink incluido asegura un rendimiento estable y una temperatura óptima incluso bajo carga.
🔒 Resistencia excepcional: Con 2,400 TBW, es capaz de soportar grandes volúmenes de lectura y escritura de manera confiable y duradera.
🖤 Diseño elegante y robusto: El Samsung 9100 PRO tiene un diseño elegante en negro que combina perfectamente con sistemas de alto rendimiento y estaciones de trabajo profesionales.

 

Característica Descripción
Marca Samsung
Modelo 9100 PRO 4TB SSD
Capacidad 4TB
Interfaz PCIe Gen 5 x 4
Velocidad de Lectura Hasta 14,800MBps
Velocidad de Escritura Hasta 13,400MBps
Tipo de Memoria TLC NAND (V8)
Endurance 2,400 TBW

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